[发明专利]未加顶部标准单元重新配置方法、可读介质和半导体装置

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及未加顶部标准单元重新配置方法、计算机可读介质和半导体装置。

背景技术

包括在集成电路(IC)中一个或多个半导体装置包括多个电子器件。表示半导体器件的一种方式是称为布局图(以下称为布局)的平面图。布局是分层的，并且被分解成模块，该模块执行半导体器件的设计规范所要求的较高级功能。在一些情况下，半定制设计(SCD)项目将模块分解为宏单元、标准单元和定制单元。

对于给定的SCD项目，定制单元设计为具有针对给定SCD项目的布置，以便(在操作中)提供针对SCD项目的较高级逻辑功能。相反，标准单元库设计成没有考虑特定项目，并且包括(在操作中)提供公共的、较低级逻辑功能的标准单元。使用包括具有预定的均匀布局间距的物理单元结构的标准单元的库(标准单元库)设计的布局有助于单元的密集封装，并且从而使晶体管密集放置。

标准单元包括器件层和位于器件层上的第一阵列。标准器件层包括一个或多个半导体器件，和相应地连接至对应的一个或多个半导体器件的一个或多个组件的层间连接结构。第一标准阵列包括散布的通孔与对应的M(i)～M(N)金属化层(其中i和N是非负整数且i<N)的对应的第一区段的堆叠布置，使得M(N)金属化层的第一区段连接至M(i)层下面的对应的一个或多个半导体器件(在器件层中)。M(N)金属化层的第二区段连接第一标准阵列中的M(N)金属化层的对应的第一区段，并且从而连接对应的标准单元。对于第一阵列采用最小数量的配置还有助于单元的密集封装。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种重新配置未加顶部标准单元组的方法，所述未加顶部标准单元组在半导体装置的布局中，其中，每个未加顶部标准单元包括第一标准阵列；每个第一标准阵列包括散布的通孔与对应的M(i)～M(N)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第一堆叠布置；以及其中，所述M(N)金属化层包括一个或多个第二区段，所述第二区段连接所述组中每个所述未加顶部标准单元的所述第一标准阵列中的所述M(N)金属化层的对应的第一区段；所述方法，包括：利用对应的第二标准阵列加顶部于所述组中的每个第一标准阵列，从而得到对应的加顶部标准单元；其中，每个第二标准阵列包括散布的通孔与对应的M(N+1)～M(N+Q)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第二堆叠布置；以及将一个或多个第二区段添加到所述M(N+Q)层，所述第二区段连接对应的所述第二标准阵列中的所述M(N+Q)金属化层的对应的第一区段，从而得到所述布局；其中，i、N和Q是非负整数，i≤N并且1≤Q；以及其中，通过计算机的处理器执行断开、所述加顶部和所述添加中的至少一个。

根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读介质(CRM)，包括计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于实施重新配置半导体装置中的未加顶部标准单元的布局的方法，其中，每个未加顶部标准单元包括第一标准阵列；每个第一标准阵列包括散布的通孔与对应的M(i)～M(N)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第一堆叠布置；以及其中，所述M(N)金属化层包括第二区段，所述第二区段连接所述第一标准阵列中的所述M(N)金属化层的对应的所述第一区段；所述方法，包括：测试所述M(N)金属化层的第二区段，从而得到测试数据；基于所述测试数据选择所述M(N)金属化层的一个或多个第二区段以及从而相关的所述未加顶部标准单元组；将对应的第二标准阵列作为顶部添加到所述组中的每个第一标准阵列，从而得到对应的加顶部标准单元；其中，每个第二标准阵列包括散布的通孔与对应的M(N+1)～M(N+Q)金属化层的对应的一个或多个第一区段的第二堆叠布置；以及将对应的第二标准阵列中的所述M(N+Q)金属化层的对应的第一区段可操作地连接所述M(N+Q)金属化层的一个或多个第二区段，从而得到所述布局；其中，N和Q是非负整数，i≤N和1≤Q；以及其中，通过计算机的处理器执行所述测试、所述选择、去除、所述添加和所述可操作地连接中的至少一个。