[发明专利]纳米线结构的制作方法有效
| 申请号： | 201710453059.X | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107342312B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;崔虎山;朱慧珑;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种纳米线结构的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供一个衬底，并在衬底上形成依次远离衬底的第一半导体材料部与掩膜部；步骤S2，对第一半导体材料部进行表面处理，使得第一半导体材料部的表面部分形成第一表层；步骤S3，刻蚀去除第一表层，去除第一表层的速率与去除衬底的速率之比在大于10；重复步骤S2至步骤S3，直到第一半导体材料部形成纳米线。该制作方法实现了自限制刻蚀，保证了在刻蚀的过程中对衬底造成的损伤较小；之后再进行表面处理，然后在再刻蚀，直到形成预定尺寸的纳米线结构，且形成的纳米线尺寸的重复性和均匀性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n步骤S1，提供一个衬底，并在所述衬底上形成依次远离所述衬底的第一半导体材料部与掩膜部；/n步骤S2，对所述第一半导体材料部进行表面处理，使得所述第一半导体材料部的表面部分形成第一表层；/n步骤S3，刻蚀去除所述第一表层，去除所述第一表层的速率与去除所述衬底的速率之比大于10；以及/n重复所述步骤S2至所述步骤S3，直到所述第一半导体材料部形成纳米线。/n
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