[发明专利]场效晶体管单元、存储器元件及电荷储存结构的制造方法在审
申请号: | 201710447617.1 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN109087941A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 刘福洲 | 申请(专利权)人: | 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/51 | 分类号: | H01L29/51;H01L29/78;H01L29/792;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/02;H01L27/088 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 萨摩亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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摘要: | 本发明公开一种场效晶体管单元、存储器元件及电荷储存结构的制造方法。存储器元件包括多个场效晶体管单元,且每一个场效晶体管单元包括基板、源极区、漏极区、栅导电层以及电荷储存结构。基板具有一上表面,源极区与漏极区位于基板内并连接上表面,且源极区与漏极区彼此分离以定义出一通道区。栅导电层设置于基板的上表面上,并覆盖位于源极区与漏极区之间的通道区。电荷储存结构位于通道区与栅导电层之间,其中,构成电荷储存结构的材料包括一铁电材料以及一顺电材料。电荷储存结构包括铁电材料与顺电材料,可具有较佳的电荷捕捉能力并兼具较快的切换速度。 | ||
搜索关键词: | 电荷储存结构 场效晶体管 漏极区 源极区 基板 存储器元件 栅导电层 上表面 通道区 铁电材料 彼此分离 电荷捕捉 顺电材料 电材料 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种场效晶体管单元,应用于一非挥发存储器元件中,其特征在于,所述场效晶体管单元包括:一基板,具有一上表面;一源极区,所述源极区位于所述基板内,并连接于所述上表面;一漏极区,所述漏极区位于所述基板内,并连接于所述上表面,其中,所述漏极区和所述源极区彼此分离,以在所述源极区与所述漏极区之间定义出一通道区;一栅导电层,所述栅导电层设置于所述上表面上,并覆盖位于源极区与漏极区之间的所述通道区;以及一电荷储存结构,所述电荷储存结构位于所述通道区与所述栅导电层之间,其中,构成所述电荷储存结构的材料包括一铁电材料以及一顺电材料。
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