[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710447541.2 | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507820B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 崔朱逸;金孝柱;文光辰;朴秀晶;徐柱斌;李来寅;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在衬底上的焊盘；以及设置在所述焊盘上并电连接到所述焊盘的凸块结构，其中所述凸块结构包括：顺序地堆叠在所述焊盘上的第一铜层和第二铜层；以及在所述第二铜层上的焊料球，其中所述第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射峰值强度比大于所述第二铜层的(111)面与(200)面的第二X射线衍射峰值强度比。
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