[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710439264.0 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293592A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘兆松 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法，薄膜晶体管包括栅极电极层、第一绝缘层、有源层、钝化层以及源极和漏极电极层；钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，第二绝缘层靠近有源层设置且其经过原子层沉积工艺处理，第三绝缘层覆盖在第二绝缘层上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理。通过上述方式，在提高晶体管可靠性的同时解决沉积速率较低的问题，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极电极层；第一绝缘层，覆盖在所述栅极电极层上；有源层，形成在所述第一绝缘层上；钝化层，覆盖在所述有源层上；源极和漏极电极层，形成在所述钝化层上；所述钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层靠近所述有源层设置且其经过原子层沉积工艺处理，所述第三绝缘层覆盖在所述第二绝缘层上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理。
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