[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710439264.0 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107293592A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘兆松 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极电极层；
第一绝缘层，覆盖在所述栅极电极层上；
有源层，形成在所述第一绝缘层上；
钝化层，覆盖在所述有源层上；
源极和漏极电极层，形成在所述钝化层上；
所述钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层靠近所述有源层设置且其经过原子层沉积工艺处理，所述第三绝缘层覆盖在所述第二绝缘层上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层采用高介电常数的材料制成。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为5-10nm，所述第三绝缘层的厚度为150-200nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极电极层通过所述钝化层的第一接触孔及第二接触孔与所述有源层电连接，形成底栅结构的氧化物晶体管。
5.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在一衬底基板上依次形成栅极电极层、第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上沉积钝化层，所述钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，所述第二绝缘层采用原子层沉积工艺而沉积在所述有源层上，而所述第三绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积工艺而沉积在所述第二绝缘层上；
在所述钝化层上形成源极和漏极电极层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层采用高介电常数的材料制成。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为5-10nm，所述第三绝缘层的厚度为150-200nm。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述钝化层上形成源极和漏极电极层，包括：
在所述钝化层上开洞形成通往所述有源层的第一接触孔及第二接触孔；
在所述第一接触孔和第二接触孔上分别沉积透明金属层以形成源极和漏极电极层；
所述源极和漏极电极层与所述有源层形成底栅结构的氧化物晶体管。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至4任一项的薄膜晶体管，或者包括权利要求5至8任一项方法所制备的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至4任一项的薄膜晶体管，或者包括权利要求5至8任一项方法所制备的薄膜晶体管。
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