[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及平面显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)在能耗、色彩饱和度、对比度、柔性应用等方面相对于LCD有显著优势，被广泛使用。

本申请的发明人在长期的研发中发现，在显示器的制成过程中，氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)技术存在可靠性差的问题，而决定可靠性的主要因素在于氧化物薄膜晶体管的有源层(Active layer)的成膜工艺上，目前常用的成膜工艺为等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，通过PECVD沉积氧化硅(SiO₂)等物质,然而，PECVD的清洗工艺会对下层的有源层造成损伤，导致薄膜晶体管TFT可靠性降低。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法，在提高晶体管可靠性的同时解决沉积速率较低的问题，提高生产效率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极电极层；第一绝缘层，覆盖在栅极电极层上；有源层，形成在第一绝缘层上；钝化层，覆盖在有源层上；源极和漏极电极层，形成在钝化层上；钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，第二绝缘层靠近有源层设置且其经过原子层沉积工艺处理，第三绝缘层覆盖在第二绝缘层上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：在一衬底基板上依次形成栅极电极层、第一绝缘层；在第一绝缘层上形成有源层；在有源层上沉积钝化层，钝化层包括第二绝缘层以及第三绝缘层，其中，第二绝缘层采用原子层沉积工艺而沉积在有源层上，而第三绝缘层采用等离子体增强化学气相沉积工艺而沉积在第二绝缘层上；在钝化层上形成源极和漏极电极层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括上述的薄膜晶体管，或者包括上述任意一项方法所制备的薄膜晶体管。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述的薄膜晶体管，或者包括上述任意一项方法所制备的薄膜晶体管。

本发明的有益效果是：通过不同工艺处理，在有源层上覆盖包括第二绝缘层以及第三绝缘层的双层结构的钝化层，其中，第二绝缘层靠近有源层设置且其经过原子层沉积工艺处理，第三绝缘层覆盖在第二绝缘层上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理，避免将等离子体增强化学气相沉积工艺直接运用在有源层上，提高薄膜晶体管可靠性的同时提高生产效率。

附图说明

图1是本发明薄膜晶体管一实施方式的结构示意图；

图2是本发明薄膜晶体管制作方法一实施方式的流程示意图；

图3是本发明薄膜晶体管制作方法另一实施方式的流程示意图；

图4是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图；

图5是本发明显示装置一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。

请参阅图1，图1是本发明薄膜晶体管一实施方式的结构示意图，该薄膜晶体管包括：栅极电极层10、第一绝缘层11、有源层12、钝化层13及源极和漏极电极层14。第一绝缘层11覆盖在栅极电极层10上，有源层12，形成在第一绝缘层11上，钝化层13，覆盖在有源层12上，源极和漏极电极层14形成在钝化层13上。其中，钝化层13包括第二绝缘层13a以及第三绝缘层13b，其中，第二绝缘层13a靠近有源层12设置且其经过原子层沉积工艺处理，第三绝缘层13b覆盖在第二绝缘层13a上且其经过等离子体增强化学气相沉积工艺处理。