[发明专利]一种N阱电阻及其生成方法有效
| 申请号： | 201710432743.X | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107331695B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 南京中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙) 11397 | 代理人： | 葛丽丽;艾凤英 |
| 地址： | 210061 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种N阱电阻及其生成方法，所述N阱电阻包括：第一多晶硅部；位于所述第一多晶硅部下方的第一N+区域；与所述第一多晶硅部间隔的第二多晶硅部；位于所述第二多晶硅部下方的第二N+区域；N阱区；所述第一N+区域位于所述N阱区的一端中，并与所述N阱区连接；所述第二N+区域位于所述N阱区的另一端中，并与所述N阱区连接；所述多晶硅部为内部中空的空心结构，通过所述空心结构注入杂质形成相应的N+区域。所述N阱电阻能够提高热处理过程N阱电阻值的精度。所述N阱电阻的生成方法，可以生成在热处理过程中保持高精度电阻值的N阱电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 及其 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N阱电阻，其特征在于，包括：第一多晶硅部；位于所述第一多晶硅部下方的第一N+区域；与所述第一多晶硅部间隔的第二多晶硅部；位于所述第二多晶硅部下方的第二N+区域；N阱区；所述第一N+区域位于所述N阱区的一端中，并与所述N阱区连接；所述第二N+区域位于所述N阱区的另一端中，并与所述N阱区连接；所述多晶硅部为内部中空的空心结构，通过所述空心结构注入杂质形成相应的N+区域；所述空心结构包括内侧和外侧，所述空心结构的内侧用于控制所述N+区域的形成。
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