[发明专利]一种N阱电阻及其生成方法有效
| 申请号： | 201710432743.X | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107331695B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 南京中感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙) 11397 | 代理人： | 葛丽丽;艾凤英 |
| 地址： | 210061 江苏省南京市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 及其 生成 方法 | ||
1.一种N阱电阻，其特征在于，包括：
第一多晶硅部；
位于所述第一多晶硅部下方的第一N+区域；
与所述第一多晶硅部间隔的第二多晶硅部；
位于所述第二多晶硅部下方的第二N+区域；
N阱区；所述第一N+区域位于所述N阱区的一端中，并与所述N阱区连接；所述第二N+区域位于所述N阱区的另一端中，并与所述N阱区连接；
所述多晶硅部为内部中空的空心结构，通过所述空心结构注入杂质形成相应的N+区域；所述空心结构包括内侧和外侧，所述空心结构的内侧用于控制所述N+区域的形成。
2.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，所述N阱电阻的阻值是基于所述第一N+区域、所述第二N+区域和所述N阱区确定的。
3.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，所述N阱电阻的横截面结构中的所述N阱区的宽度小于所述N+区域的宽度。
4.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，位于所述多晶硅部下方的用于形成所述N+区域的硅体区的外侧位于所述多晶硅部空心结构的内侧和外侧之间。
5.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，所述多晶硅部采用生成MOS管栅极的多晶硅或生成多晶硅电阻的多晶硅。
6.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，所述N阱电阻的横截面结构中的所述N阱区的厚度大于所述N+区域的厚度。
7.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，还包括：氧化层，所述N阱电阻的横截面结构中的所述氧化层位于所述多晶硅部和所述N阱区之间。
8.如权利要求1所述的N阱电阻，其特征在于，还包括：第一金属接触部和第二金属接触部，所述第一N+区域与所述第一金属接触部相连，其中，所述第一金属接触部穿过所述第一多晶硅部的空心结构；
所述第二N+区域与所述第二金属接触部相连，其中所述第二金属接触部穿过所述第二多晶硅部的空心结构。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的N阱电阻的生成方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成N阱区；
形成多晶硅部，所述多晶硅部包括第一多晶硅部和第二多晶硅部，所述第一多晶硅部和所述第二多晶硅部分别位于所述N阱区两端的上方，所述多晶硅部为内部中空的空心结构，所述空心结构包括内侧和外侧，所述空心结构的内侧用于控制所述N+区域的形成；
通过所述多晶硅部的空心结构向硅体区注入高浓度的N型杂质，形成所述N+区域，所述N+区域包括第一N+区域和第二N+区域，所述第一N+区域和所述第二N+区域分别位于所述N阱区的两端中并与所述N阱区连接。
10.如权利要求9所述的N阱电阻的生成方法，其特征在于，形成多晶硅部，具体包括：
通过氧化、淀积形成氧化层以及多晶硅层；
光刻、蚀刻所述多晶硅层和所述氧化层以在所述多晶硅层和所述氧化层上形成空心结构的多晶硅部。
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