[发明专利]一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法

摘要

一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。

主权项

1.一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：所述有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层；所述InGaN量子点势阱层和GaN势垒层的周期为3～15个；所述InGaN量子点势阱层中，量子点的密度、尺寸及InGaN材料中In的组分与所述非极性面量子点发光二极管的发光波长相匹配；所述InGaN量子点势阱层采用S‑K模式生长，量子点的密度为5×108～1×1012cm‑2、直径为10～100nm、高度为2～12nm；InGaN材料中In的组分为0.3～0.6。