[发明专利]用于半导体装置的阈值电压及井植入方法有效
| 申请号： | 201710418214.4 | 申请日： | 2017-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107464746B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 戴鑫托;布莱恩·葛伦;马翰德·库玛;丹尼尔·J·德契恩;丹尼尔·杰格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半导体装置的阈值电压及井植入方法，其用于图案化及植入的方法提供多个具体实施例，包括下列步骤：形成多个鳍片；形成一SiN于该多个鳍片上方；形成一a‑Si层于该SiN上方；形成及图案化一第一图案化层于该a‑Si层上方；使用该第一图案化层作为一掩模，蚀刻穿过该a‑Si层；移除该第一图案化层；植入离子于暴露的鳍片群组中；形成及图案化一第二图案化层以暴露一第一鳍片群组以及该a‑Si层在该第一鳍片群组的两对边上的一部分；植入离子于该第一鳍片群组的一第一区域中；形成一第三图案化层于该第一鳍片群组的该第一区域上方以及暴露该第一鳍片群组的一第二区域；以及植入离子于该第一鳍片群组的该第二区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 装置 阈值 电压 植入 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：在一基板上方的多个区域中形成多个鳍片群组；形成一氮化硅(SiN)于该多个鳍片群组上方；形成一非晶硅(a‑Si)层于该SiN上方；形成及图案化一第一图案化层于该a‑Si层上方；使用该第一图案化层作为一掩模，蚀刻穿过该a‑Si层向下到该SiN；移除该第一图案化层；在蚀刻该a‑Si层后，植入离子于暴露的鳍片群组中；形成及图案化一第二图案化层以暴露一第一鳍片群组以及该a‑Si层在该第一鳍片群组的两对边上的一部分；植入离子于该第一鳍片群组的一第一区域中；形成一第三图案化层于该第一鳍片群组的该第一区域上方以及暴露该第一鳍片群组的一第二区域；以及植入离子于该第一鳍片群组的该第二区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
