[发明专利]低温多晶硅TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。该制作方法包括：在基板上依次形成遮光部、缓冲层及岛状多晶硅部，对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂，形成掺杂区和沟道区；依次形成栅极绝缘层和栅极，栅极覆盖沟道区且其两端均超出沟道区的两端一段距离并覆盖部分掺杂区；对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂，形成N型重掺杂区和N型轻掺杂区；在栅极上形成层间绝缘层，及与N型重掺杂区电连接的源漏极。该方案可通过栅极电压控制轻掺杂区的阻抗变化，以有效抑制N‑TFT产生翘曲效应，提升器件的工作特性。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在基板上设置多个遮光部、以及形成缓冲层；在缓冲层上沉积低温多晶硅层，对低温多晶硅层进行图形化处理，以在每一遮光部对应上方形成一岛状多晶硅部，并对岛状多晶硅部进行无差别的整面离子掺杂；在多晶硅层上涂布光阻，对该光阻进行图形化处理形成光阻部，以该光阻部为掩膜对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂，形成位于岛状多晶硅部两侧的掺杂区以及位于两侧掺杂区之间的沟道区；去除光阻部，在岛状多晶硅部上依次形成栅极绝缘层和第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，以在岛状多晶硅部对应上方形成栅极，其中，所述栅极的宽度小于所述岛状多晶硅部的宽度，所述栅极覆盖所述岛状多晶硅部的沟道区，且所述栅极的两端均超出所述沟道区的两端一段距离并覆盖部分掺杂区；以栅极为掩膜对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂，形成位于岛状多晶硅部两侧的N型重掺杂区，并将位于N型重掺杂区与沟道区之间的掺杂区作为N型轻掺杂区；在栅极上形成层间绝缘层、及与N型重掺杂区电连接的源极和漏极。