[发明专利]低温多晶硅TFT基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。该制作方法包括：在基板上依次形成遮光部、缓冲层及岛状多晶硅部，对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂，形成掺杂区和沟道区；依次形成栅极绝缘层和栅极，栅极覆盖沟道区且其两端均超出沟道区的两端一段距离并覆盖部分掺杂区；对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂，形成N型重掺杂区和N型轻掺杂区；在栅极上形成层间绝缘层，及与N型重掺杂区电连接的源漏极。该方案可通过栅极电压控制轻掺杂区的阻抗变化，以有效抑制N‑TFT产生翘曲效应，提升器件的工作特性。

技术领域

本发明涉及液晶显示面板制作领域，特别是涉及一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术是新一代TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)基板的制造技术，与传统非晶硅(a-Si)技术的最大差异在于，低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。

一般地，N型低温多晶硅TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板，通常为自准直的N-TFT结构，其栅极覆盖位于其下方的多晶硅未掺杂区(即沟道区)，而与掺杂区不重叠。然而，这种低温多晶硅TFT基板的设计中，由于其轻掺杂区的阻抗是恒定不变无法调节的，在较高的漏极电压下，将使得漏极区域存在严重的碰撞电离，从而产生翘曲效应(kinkeffect)，导致对器件的长期稳定工作造成不利影响。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进的低温多晶硅TFT基板及其制作方法。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，包括：

提供一基板；

在基板上设置遮光部，以及形成缓冲层；

在缓冲层上沉积低温多晶硅层，对低温多晶硅层进行图形化处理，以在每一遮光部对应上方形成一岛状多晶硅部，并对岛状多晶硅部进行无差别的整面离子掺杂；

在岛状多晶硅部上涂布光阻，对该光阻进行图形化处理形成光阻部，以该光阻部为掩膜对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂，形成位于岛状多晶硅部两侧的掺杂区以及位于两侧掺杂区之间的沟道区；

去除光阻部，在岛状多晶硅部上依次形成栅极绝缘层和第一金属层，并对第一金属层进行图形化处理，以在岛状多晶硅部对应上方形成栅极，其中，所述栅极的宽度小于所述岛状多晶硅部的宽度，所述栅极覆盖所述岛状多晶硅部的沟道区，且所述栅极的两端均超出所述沟道区的两端一段距离并覆盖部分掺杂区；

以栅极为掩膜对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂，形成位于岛状多晶硅部两侧的N型重掺杂区，并将位于N型重掺杂区与沟道区之间的掺杂区作为N型轻掺杂区；

在栅极上形成层间绝缘层，及与N型重掺杂区电连接的源极和漏极。

在一些实施例中，以光阻部为掩膜对岛状多晶硅部两侧进行离子轻掺杂的离子为P离子。

在一些实施例中，以栅极为掩膜对未被栅极覆盖的掺杂区进行离子重掺杂的离子为P离子。

在一些实施例中，对岛状多晶硅部进行无差别的整面离子掺杂的离子为B离子。

在一些实施例中，在基板上设置遮光部的步骤包括：

利用物理气相沉积技术在基板上沉积第二金属层并涂布光阻；