[发明专利]半导体压力传感器有效
| 申请号： | 201710403836.X | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107449538B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤公敏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供无需用于应力控制的热处理、且可靠性高的半导体压力传感器。半导体压力传感器(100A)具有：固定电极(18)，其位于半导体基板(11)的主面；以及隔膜(61)，其在半导体基板(11)的厚度方向上经由空隙(51)而至少在与固定电极(18)相对的位置处在厚度方向上是可动的。隔膜(61)具有：可动电极(39)；第1绝缘膜(39d)，其位于可动电极(39)的空隙(51)侧；第2绝缘膜(58)，其位于可动电极(39)的与空隙(51)相反侧，膜种类与第1绝缘膜(39d)相同；以及屏蔽膜(59)，其与可动电极(39)一起夹着第2绝缘膜(58)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，/n所述隔膜具有：/n可动电极；/n第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；/n第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及/n屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，/n还具有：第3绝缘膜，其在所述半导体基板的所述主面将所述固定电极包围，/n所述隔膜的形状在剖视图上的端部处呈现为固定部，该固定部在与所述半导体基板相反侧固定于所述第3绝缘膜，/n所述空隙还位于所述第3绝缘膜和所述隔膜之间，/n所述隔膜在所述厚度方向上隔着所述空隙还与所述第3绝缘膜相对，并且，在与所述第3绝缘膜相对的位置处在所述厚度方向上是可动的。/n
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