[发明专利]一种改善CMP缺陷的优化方法及系统有效
| 申请号： | 201710398820.4 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108984805B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 曹鹤;陈岚;孙艳;张贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/392 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种改善CMP缺陷的优化方法及系统，在确定金属填充后的芯片初始表面形貌之后，进行芯片的CMP仿真，获得仿真后的缺陷网格区域，而后，针对缺陷网格区域进行填充深度的调整和CMP的仿真，从而确定出缺陷得到改善时缺陷网格区域的沟槽深度，并以此沟槽深度作为缺陷网格区域的最终沟槽深度。由于芯片中容易出现缺陷的区域被重新确定了沟槽深度，在该沟槽深度下，缺陷网格区域的缺陷是得到了改善，这样，可以减少CMP工艺中的缺陷，同时，大大降低了在相同工艺条件下需进行冗余金属填充的面积，减少了冗余金属的数量，从而也大幅减小了冗余金属填充带来的寄生参数问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 cmp 缺陷 优化 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种改善CMP缺陷的优化方法，其特征在于，包括：进行版图的网格划分，并提取网格的等效参数；根据所述等效参数和初始沟槽深度，获得金属填充后的芯片初始表面形貌；在所述芯片初始表面形貌下进行芯片的CMP仿真，获得缺陷网格区域，所述缺陷网格区域为CMP仿真的缺陷所在的网格区域；进行所述缺陷网格区域的优化，具体包括：调整所述缺陷网格区域的沟槽深度，根据所述等效参数以及调整后的沟槽深度，确定缺陷网格区域的初始表面形貌，并进行缺陷网格区域的CMP仿真，以使得缺陷网格区域的缺陷得到改善；以缺陷改善时的沟槽深度作为在刻蚀工艺中缺陷网格区域优化后的沟槽深度。
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