[发明专利]内连线结构、其制造方法与半导体结构有效
| 申请号： | 201710397007.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987362B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 江明崇 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种内连线结构、其制造方法与半导体结构，其中内连线结构包括导体层、间隙壁、介电层与接触窗。导体层设置在基底上。间隙壁设置在导体层的侧壁上。介电层覆盖导体层与间隙壁。接触窗设置在介电层中且位于导体层上。上述内连线结构、其制造方法与半导体结构可在不增加元件尺寸的情况下，有效地提升重叠裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 连线 结构 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种内连线结构，其特征在于，包括：导体层，设置在基底上；间隙壁，设置在所述导体层的侧壁上；介电层，覆盖所述导体层与所述间隙壁；以及接触窗，设置在所述介电层中且位于所述导体层上。
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