[发明专利]一种上电复位电路在审
| 申请号： | 201710395051.2 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107222191A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管的漏极以及电阻的一端；电阻的另一端接电容的一端以及第一NMOS晶体管的栅极；电容的另一端接地；第二PMOS晶体管的源极接电源，栅极接第一NMOS晶体管的漏极以及反相器的输入；第一NMOS晶体管的源极接地；反相器的输出为电路的输出端。上述方案提供的上电复位电路中，利用电源电压与第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管阈值之和比较，产生电路的上电复位信号，大大简化了上电复位电路，减小了芯片面积，从而降低了系统的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、电阻R1、电容C1以及反相器INV1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源VDD，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管P2的漏极以及电阻R1的一端；电阻R1的另一端接电容C1的一端以及第一NMOS晶体管N1的栅极；电容C1的另一端接地；第二PMOS晶体管P2的源极接电源VDD，栅极接第一NMOS晶体管N1的漏极以及反相器INV1的输入；第一NMOS晶体管N1的源极接地；反相器INV1的输出为电路的输出端OUT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙方星腾电子科技有限公司，未经长沙方星腾电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710395051.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
