[发明专利]一种上电复位电路在审
| 申请号： | 201710395051.2 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107222191A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、电阻R1、电容C1以及反相器INV1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源VDD，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管P2的漏极以及电阻R1的一端；电阻R1的另一端接电容C1的一端以及第一NMOS晶体管N1的栅极；电容C1的另一端接地；第二PMOS晶体管P2的源极接电源VDD，栅极接第一NMOS晶体管N1的漏极以及反相器INV1的输入；第一NMOS晶体管N1的源极接地；反相器INV1的输出为电路的输出端OUT。
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