[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710392393.9 | 申请日: | 2017-05-27 |
公开(公告)号: | CN107195659B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 操彬彬;钱海蛟;杨成绍;黄寅虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括:提供衬底基板;在衬底基板上形成半导体层;在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料;在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案;以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层;以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层,其中,有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域,刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法,既可以增大开态电流和电子迁移率,也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路,从而提升产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成半导体层;在所述半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料;在所述刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案;以所述掩模图案为掩模对所述刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层;以所述掩模图案为掩模对所述半导体层采用干法刻蚀以形成有源层,其中,所述有源层包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域,所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层的第一区域在所述衬底基板上的正投影完全重合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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