[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710387583.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107068860B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阻变存储器以及其制备方法，其中阻变存储器包括：下电极；含下电极金属的氧化物层，位于下电极之上；电阻转变层，位于含下电极金属的氧化物层之上，其中，所述电阻转变层材料为含氮的钽氧化物；插层，位于电阻转变层之上，其中所述插层材料为金属或半导体；上电极，位于插层之上。本发明阻变存储器通过设置含氮的钽氧化物电阻转变层，其与Ta2O5相比，具有较低的激活电压，高开关比的特点，还可以增加氧空位数量对器件电阻的调控能力。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，其特征在于包括：下电极；含下电极金属的氧化物层，位于下电极之上；电阻转变层，位于含下电极金属的氧化物层之上，其中，所述电阻转变层材料为含氮的钽氧化物，其中，含氮的钽氧化物中氮的原子含量介于0.05％和30％之间；插层，位于电阻转变层之上，其中所述插层材料为金属或半导体；上电极，位于插层之上。
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