[发明专利]半导体器件

摘要

提供了一种能够提高可靠性的半导体器件。该半导体器件设置有反熔丝元件，反熔丝元件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的第一导电类型的阱区、和通过栅极绝缘膜形成在半导体衬底之上的栅电极、以及在栅电极的两端处形成在阱区内的与第一导电类型相反的第二导电类型的源极区域。当写入熔丝元件中时，第一写入电位被施加给栅电极，第一参考电位被施加给阱区，中间电位被施加给源极区域，以及中间电位低于第一写入电位且高于第一参考电位。

主权项

一种半导体器件，包括：反熔丝元件，包括：半导体衬底；第一导电类型的第一半导体区域，形成在所述半导体衬底中；栅电极，通过栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底之上；以及第二导电类型的第二半导体区域和第三半导体区域，在所述栅电极的两端处形成在所述第一半导体区域内，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中当在所述反熔丝元件中写入时，第一电位被施加给所述栅电极，第二电位被施加给所述第一半导体区域，第三电位被提供给所述第二半导体区域和所述第三半导体区域，并且所述第三电位低于所述第一电位且高于所述第二电位。