[发明专利]一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用有效
| 申请号： | 201710385970.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN108933193B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 袁恺;王海龙;姚笑寒;赵建华;戴伦;叶堉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 铁磁半导体 超导体 应用 范德瓦尔斯力 自旋电子学 层状材料 集成技术 物理特性 异质结构 自旋器件 半金属 硅工艺 兼容性 石墨烯 衬底 二维 构建 可用 制备 半导体 拓展 | ||
【主权项】：
1.一种铁磁半导体薄膜的转移方法，包括以下步骤：/n1)采用固态低温分子束外延生长法在GaAs衬底上获得带有(Al,Ga)As牺牲层的(Ga,Mn)As薄膜；/n2)在(Ga,Mn)As薄膜表面均匀旋涂一层含有密封蜡的三氯乙烯溶液，经固化、退火处理之后，形成密封蜡薄膜作为支撑层；/n3)将上述带有支撑层的(Ga,Mn)As薄膜解理成所需的形状和尺寸，露出(Al,Ga)As牺牲层的断面；/n4)用氢氟酸溶液浸泡，利用氢氟酸对(Al,Ga)As的选择性腐蚀使带有支撑层的(Ga,Mn)As薄膜脱离衬底；/n5)用SiO
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