[发明专利]一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710381749.9 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107271082B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;李笑笑;陈善亮;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的压力传感器包括原子力显微镜探针、石墨基底和负载于石墨基底上的B掺杂SiC纳米带，功能单元为B掺杂SiC纳米带。本发明的压力传感器具有耐高温、应变系数高、灵敏度高的特点，可在极端条件下使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 应变 系数 灵敏 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括原子力显微镜探针、石墨基底和负载于石墨基底上的B掺杂SiC纳米带。
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