[发明专利]一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710372702.6 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108930065A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;刘玉静;吴金雄;谈振军;谭聪伟 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5‑2)：(0.5‑4)：4组成的混合液。本发明的化学刻蚀方法条件温和、简单经济，将其与光刻或电子束曝光技术结合可以实现对二维Bi2O2Se晶体特定图案化的选区化学刻蚀，构筑阵列化图案结构，在集成化器件领域具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 化学刻蚀 二维 高迁移率 刻蚀液 双氧水 电子束曝光技术 半导体薄膜 集成化器件 广阔应用 简单经济 去离子水 图案结构 混合液 晶体的 浓硫酸 体积比 图案化 氧化铋 阵列化 光刻 浸润 选区 构筑 | ||
【主权项】：
1.一种二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法，包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸入刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5‑2)：(0.5‑4)：4。
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