[发明专利]一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法

权利要求书

1.一种二维Bi₂O₂Se晶体的化学刻蚀方法，包括下述步骤：

将二维Bi₂O₂Se晶体浸入刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5-2)：(0.5-4)：4。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述双氧水的质量浓度为30％，所述浓硫酸的质量浓度为98％。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述反应的反应时间为5-20秒，反应温度为室温。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在化学刻蚀前利用O₂等离子体对二维Bi₂O₂Se晶体表面进行预处理的步骤；其中，所述O₂等离子体的处理功率为50-100W，处理时间为5-20秒。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于：所述方法还包括下述后处理步骤：将刻蚀完成的样品基片浸入去离子水中反复冲洗，并利用流动水源反复冲洗，最后经N₂吹干样品表面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于：所述二维Bi₂O₂Se晶体包括Bi₂O₂Se晶体单畴和Bi₂O₂Se薄膜。

7.一种构筑Bi₂O₂Se晶体阵列的方法，包括如下步骤：

1)化学气相沉积方法得到二维Bi₂O₂Se晶体；

2)对所述二维Bi₂O₂Se晶体进行特定图形的加工；

3)利用权利要求1-5任一项所述方法对图形加工后的二维Bi₂O₂Se晶体进行化学刻蚀，实现二维Bi₂O₂Se晶体的图案化；

4)去除掩膜得到二维Bi₂O₂Se晶体阵列。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤2)中对所述二维Bi₂O₂Se晶体进行特定图形的加工的方法为光刻法或电子束曝光法。