[发明专利]基于表面等离子波导的新型发光二极管在审

专利信息
申请号: 201710371326.9 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107086259A 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 朱君;徐汶菊 申请(专利权)人: 广西师范大学
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 代理人: 刘梅芳
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了基于表面等离子波导的新型发光二极管,其特征是,包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层,所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。这种二极管能提高LED的光萃取效率、增加光的透射、能够增强LED的电学特性、实现LED的出光效率的增强,为制备高效LED芯片提供一种新的原型器件。
搜索关键词: 基于 表面 等离子 波导 新型 发光二极管
【主权项】:
基于表面等离子波导的新型发光二极管,其特征是,包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层,所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。
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