[发明专利]基于表面等离子波导的新型发光二极管在审
申请号: | 201710371326.9 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107086259A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 朱君;徐汶菊 | 申请(专利权)人: | 广西师范大学 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 | 代理人: | 刘梅芳 |
地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了基于表面等离子波导的新型发光二极管,其特征是,包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层,所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。这种二极管能提高LED的光萃取效率、增加光的透射、能够增强LED的电学特性、实现LED的出光效率的增强,为制备高效LED芯片提供一种新的原型器件。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 等离子 波导 新型 发光二极管 | ||
【主权项】:
基于表面等离子波导的新型发光二极管,其特征是,包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层,所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。
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