[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法。该方法通过采用含有可结晶析出的颜料的光刻胶材料形成光刻胶层，使得光刻胶层的表面形成若干毛刺结晶物，进而使得像素电极薄膜无法完全覆盖光刻胶层的表面，剥离液可以通过毛刺结晶物渗透到光刻胶层中对光刻胶层进行腐蚀，从而同时剥离光刻胶层及光刻胶层上的像素电极薄膜，得到像素电极，相比于现有技术，进行离地剥离时无需采用特别的光罩和光罩参数，也不需要进行等离子处理，能够简化TFT基板的制作流程，提升TFT基板的生产效率。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(1)，通过第一道光罩和第二道光罩制程在所述衬底基板(1)上形成TFT层(2)，在所述TFT层(2)上覆盖钝化层(3)；步骤S2、通过第三道光罩制程形成光刻胶层(4)和像素电极过孔(5)；所述光刻胶层(4)的材料中含有可结晶析出的颜料，所述光刻胶层(4)形成于所述钝化层(3)上，所述光刻胶层(4)的图案与待形成的像素电极的图案相对应且为图案互补关系，且所述光刻胶层(4)表面形成有若干毛刺结晶物(41)；所述像素电极过孔(5)贯穿所述钝化层(3)并暴露出所述TFT层(2)的一部分；步骤S3、在所述钝化层(3)、光刻胶层(4)以及像素电极过孔(5)上形成像素电极薄膜(61)；步骤S4、通过剥离液腐蚀光刻胶层(4)，剥离所述光刻胶层(4)以及光刻胶层(4)上的像素电极薄膜(61)，形成像素电极(6)。