[发明专利]磁存储器件的制作方法在审
| 申请号： | 201710369411.1 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108933192A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何川;金光耀;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件的制作方法，包括：提供一叠层，包括第一电极层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和第二电极层；形成掩膜；采用惰性元素离子束轰击去除该预定区域的第一电极层和第一磁性层；钝化处理非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部以去除部分侧部的第一电极层和第一磁性层并在侧部形成第一钝化层；采用惰性元素离子束轰击该预定区域以去除该预定区域的隧穿层、第二磁性层和第二电极层。本发明在进一步刻蚀隧穿层和第二磁性层、第二电极之前，在第一磁性层和第一电极的侧部利用化学反应形成钝化层并去除损伤层，以避免第一磁性层和第一电极被后续轰击出的导电材料溅射到，从而致使两个磁性层和两个电极造成连接。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 第一电极 预定区域 去除 第二电极 隧穿层 轰击 惰性元素离子 钝化层 磁存储器件 化学反应 存储器件 导电材料 钝化处理 损伤层 电极 叠层 溅射 刻蚀 掩膜 制作 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：提供一叠层，该叠层依次包括第一电极层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和第二电极层；步骤S2：在该第一电极层上形成掩膜，暴露出预定区域；步骤S3：采用惰性元素离子束轰击去除该预定区域的第一电极层和第一磁性层以暴露出隧穿层；步骤S4：钝化处理非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部以去除部分侧部的第一电极层和部分侧部的第一磁性层并在非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部形成第一钝化层；步骤S5：采用惰性元素离子束轰击该预定区域以去除该预定区域的隧穿层、第二磁性层和第二电极层。
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