[发明专利]磁存储器件的制作方法在审
| 申请号： | 201710369411.1 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108933192A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何川;金光耀;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性层 第一电极 预定区域 去除 第二电极 隧穿层 轰击 惰性元素离子 钝化层 磁存储器件 化学反应 存储器件 导电材料 钝化处理 损伤层 电极 叠层 溅射 刻蚀 掩膜 制作 | ||
1.一种磁存储器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：提供一叠层，该叠层依次包括第一电极层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和第二电极层；
步骤S2：在该第一电极层上形成掩膜，暴露出预定区域；
步骤S3：采用惰性元素离子束轰击去除该预定区域的第一电极层和第一磁性层以暴露出隧穿层；
步骤S4：钝化处理非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部以去除部分侧部的第一电极层和部分侧部的第一磁性层并在非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部形成第一钝化层；
步骤S5：采用惰性元素离子束轰击该预定区域以去除该预定区域的隧穿层、第二磁性层和第二电极层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S4中通过氧等离子体或者氧离子束来完成钝化处理，或者通过氮等离子体或者氮离子束来完成钝化处理。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该第一钝化层的厚度为1nm-10nm。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S5之后还包括：
步骤S6：钝化处理非预定区域的第二磁性层的侧部和第二电极层侧部以去除部分侧部的第二磁性层和部分侧部的第二电极层并形成第二钝化层，该第二钝化层覆盖于非预定区域的第二磁性层的侧部和第二电极层侧部。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，该第二钝化层的厚度为1nm-10nm。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤S6之后还包括：
步骤S7：清洗或湿法刻蚀去除该第一钝化层和/或该第二钝化层。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的制作方法，其特征在于，离子束刻蚀过程中通过SIMS监控刻蚀的位置。
8.如权利要求1-6中任意一项所述的制作方法，其特征在于，该第一电极层为Ta、Ru、W和Al中的一种或多种的叠层，和/或，第二电极层为Ta、Ru、W和Al中的一种或多种的叠层。
9.如权利要求1-6中任意一项所述的制作方法，其特征在于，第一磁性层为Co、Fe、Ni或者其合金，和/或，第二磁性层为Co、Fe、Ni或者其合金。
10.如权利要求1-6中任意一项所述的制作方法，其特征在于，第二磁性层为金属磁性叠层，该金属磁性叠层依次为第一磁性材料、金属和第二磁性材料。
11.如权利要求1-6中任意一项所述的制作方法，其特征在于，该隧穿层为Al2O3或者MgO，和/或，该隧穿层的厚度为0.1nm-5nm。
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