[发明专利]基于GeSn材料的LED

摘要

本发明涉及一种基于GeSn材料的LED，包括：单晶Si衬底、P型晶化Ge层、本征Ge层及SiO₂钝化层；其中，所述单晶Si衬底、P型晶化Ge层、本征Ge层和钝化层依次层叠。采用本发明实施例提供的基于GeSn材料的LED，采用GeSn代替Ge作为光电集成电路中的光源，提高了发光效率，有效抑制缺陷的扩展从而获得高质量的Ge/Si虚衬底；并且，在Ge掺杂层和GeSn本征层之间引入Ge阻挡层结构，可以避免Ge层的掺杂源对GeSn的无意掺杂，从而提高器件的性能。

主权项

1.一种基于GeSn材料的LED，其特征在于，包括：衬底(101)、P型晶化Ge层(102)、本征Ge层(103)、N型Ge层(104)及钝化层(105)；其中，所述P型晶化Ge层(102)、所述本征Ge层(103)、所述N型Ge层(104)和所述钝化层(105)依次层叠于所述衬底(101)上；所述本征Ge层(103)包括第一Ge阻挡层(1031)、GeSn层(1032)及第二Ge阻挡层(1033)，并且，所述第一Ge阻挡层(1031)、所述GeSn层(1032)及所述第二Ge阻挡层(1033)依次层叠形成。