[发明专利]基于GeSn材料的LED

权利要求书

1.一种基于GeSn材料的LED，其特征在于，包括：

衬底(101)、P型晶化Ge层(102)、本征Ge层(103)、N型Ge层(104)及钝化层(105)；

其中，所述P型晶化Ge层(102)、所述本征Ge层(103)、所述N型Ge层(104)和所述钝化层(105)依次层叠于所述衬底(101)上；

所述本征Ge层(103)包括第一Ge阻挡层(1031)、GeSn层(1032)及第二Ge阻挡层(1033)，并且，所述第一Ge阻挡层(1031)、所述GeSn层(1032)及所述第二Ge阻挡层(1033)依次层叠形成。

2.如权利要求1所述的LED，其特征在于，还包括正电极(106)和负电极(107)，所述正电极(106)和所述负电极(107)分别连接所述P型晶化Ge层(102)和所述N型Ge层(104)。

3.如权利要求2所述的LED，其特征在于，所述正电极(106)和所述负电极(107)均为Cr-Au合金材料。

4.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述衬底(101)为单晶Si材料。

5.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述P型晶化Ge层(102)的厚度为190～200nm，掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3。

6.如权利要求5所述的LED，其特征在于，所述P型晶化Ge层(102)是通过采用激光再晶化工艺对生长在所述衬底(101)上的Ge外延层进行处理而得到的，其中，所述激光再晶化工艺的参数为：激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm²，激光移动速度为25mm/s。

7.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述第一Ge阻挡层(1031)的厚度为12-18nm，所述GeSn层(1032)的厚度为150～200nm，所述第二Ge阻挡层(1033)的厚度为400-450nm。

8.如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述N型Ge层(104)的厚度为100-120nm。