[发明专利]一种待成膜基板及等离子体设备有效
| 申请号： | 201710344635.7 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107123639B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 周天民;杨维;王利忠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种待成膜基板及等离子体设备，涉及显示技术领域，可促进待成膜基板边缘区域反应气体的电离。该待成膜基板包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。用于使等离子体分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 待成膜基板 等离子体 设备 | ||
【主权项】：
1.一种待成膜基板，所述待成膜基板通过等离子体化学气相沉积法成膜，其特征在于，包括：衬底基板，所述衬底基板具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上用于形成膜层；第一辅助电极，所述第一辅助电极沿所述衬底基板的第二表面的边缘设置一周。
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