[发明专利]一种硅纳米孔结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种硅纳米孔结构及其制作方法。包括：一绝缘衬底上的硅片作为基板；在基体两侧表面沉积SiN纳米薄膜，将基体一侧的SiN刻蚀形成硅表面；同时刻蚀SiN纳米薄膜形成基体释放窗口；将金属纳米颗粒均匀分散在硅表面；在金属纳米颗粒和硅表面上方沉积保护层，在保护层上方涂覆一层增粘剂和抗碱性刻蚀液的胶，使用碱性溶液刻蚀硅基体得到由SOI氧化层、SOI顶层硅、金属纳米颗粒、保护层和保护胶组成的自支撑纳米薄膜。去除保护胶与增粘剂和SOI氧化层，刻蚀去除自支撑纳米薄膜上方部分保护层，得到保护层窗口；使用双氧水、氢氟酸配置成的刻蚀液体，辅助金属纳米颗粒刻蚀得到硅纳米孔结构。本发明工艺简单，可重复循环使用，在生化检测领域使用前景广。

主权项

一种硅纳米孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：1)提供一绝缘衬底上的硅片(Silicon‑On‑Insulator，SOI)为基板；2)在所述基板的两侧表面沉积有一层SiN纳米薄膜；3)刻蚀所述基体一侧所述SiN纳米薄膜形成硅表面；4)刻蚀所述基体一侧所述SiN纳米薄膜形成基体释放窗口；5)将金属纳米颗粒均匀分散在所述硅表面上；6)在所述金属纳米颗粒和硅表面的上方沉积有保护层；7)在所述保护层的上方涂覆有一层增粘剂，并在所述增粘剂上涂覆有抗碱胶，所述抗碱胶为抗碱性刻蚀液的胶；8)通过碱性溶液刻蚀所述硅基体得到由SOI氧化层、SOI顶层硅、所述金属纳米颗粒、所述保护层和所述保护胶组成的自支撑纳米薄膜；9)去除保护胶和SOI氧化层；10)再次使用刻蚀的办法，刻蚀掉所述自支撑纳米薄膜上方的部分保护层；11)使用双氧水、氢氟酸配置成的刻蚀液体，辅助金属纳米颗粒刻蚀得到硅纳米孔结构。