[发明专利]一种控制芯片位错的方法有效
| 申请号： | 201710343221.2 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107154343B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方海生;罗显刚;马千里 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 梁鹏;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种控制芯片位错的方法。该方法包括：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，核心区是以待处理芯片的基圆的圆心为中心，直径为d1的圆形区域，过渡区是核心区外的圆环区域，且介于核心区和边缘区之间；(b)将待处理芯片置于惰性保护气体中，并分别加热核心区和边缘区，然后将待处理芯片退火，其中，核心区的加热温度高于边缘区，使得核心区的空位和氧间隙原子扩散，以及位错滑移至边缘区，从而完成待处理芯片的处理。通过本发明，有效控制芯片基圆的位错分布，提高芯片基圆高质量区域面积占比，提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 核心区 处理芯片 边缘区 基圆 位错 控制芯片 过渡区 加热 芯片 惰性保护气体 芯片封装领域 退火 芯片成品率 圆心 间隙原子 使用性能 位错分布 有效控制 圆环区域 圆形区域 质量区域 空位 滑移 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种控制芯片位错的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)将待处理芯片的基圆划分为核心区、过渡区和边缘区，其中，所述核心区是以所述待处理芯片的基圆圆心为中心的区域，所述过渡区包围在所述核心区外，且介于所述核心区和所述边缘区之间；(b)分别加热所述核心区和边缘区，然后将所述待处理芯片退火，其中，所述核心区的加热温度高于所述边缘区使得产生位错的空位和氧的间隙原子扩散至所述边缘区，从而完成所述待处理芯片的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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