[发明专利]一种吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201710342967.1 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN107033333A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 姜兆衍;倪振杰;胡文平;魏志祥 申请(专利权)人: 国家纳米科学中心
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C08L65/00;C08K5/101;H01L51/46
代理公司: 北京品源专利代理有限公司11332 代理人: 巩克栋
地址: 100190 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种吡咯并吡咯二酮聚合物及其制备方法和应用,所述吡咯并吡咯二酮聚合物具有如式I所示的结构,其结构中吡咯并吡咯二酮基两侧具有噻吩和苯并噻吩基团,通过分子中不对称的共轭单元的相互配合,协同作用,改变其吸收带边和能级,具有较窄的能量带隙和更宽的吸收带边,和较高的双极性激子迁移率,使得其空穴迁移率在1.20cm2·V‑1·s‑1以上,电子迁移率为0.14‑0.40cm2·V‑1·s‑1,作为给体材料,太阳能电池能量转化效率在5.59%以上,作为受体材料,太阳能电池能量效率为0.28‑0.44%,可作为双极性半导体材料,在效应晶体管器件和有机太阳能电池器件中有着相当的研究价值和应用前景。
搜索关键词: 一种 吡咯 聚合物 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种吡咯并吡咯二酮聚合物,其特征在于,所述吡咯并吡咯二酮聚合物具有如式I所示的结构:其中,Ar1和Ar2不同,分别独立地选自R为碳原子数为10‑25的直链烷基或支链烷基,R1为n=40~160。
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