[发明专利]一种薄膜封装方法在审
| 申请号： | 201710337753.5 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107123753A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;郭太良;张永爱;唐谦;叶芸;李福山;胡海龙;杨尊先;翁雅恋 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/48;H01L51/40 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊,李翠娥 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明针对器件的薄膜封装领域中，原子层沉积（ALD）成膜致密，但速率较慢的问题，提出了一种新的薄膜封装方法，其步骤包括第（1）步，采用原子层沉积方法在衬底沉积第一无机阻隔层；第（2）步，采用物理气相沉积方法在第（1）步制备的无机阻隔层上沉积第二无机阻隔层；第（3）步，采用原子层沉积方法在第（2）步沉积的无机阻隔层上沉积第三无机阻隔层；第（4）步，制备有机阻隔层，形成周期性结构阻隔层；第（5）步，重复第（2）~（4）步骤，形成具有多个周期的薄膜封装结构。本发明结合ALD和其他常用薄膜沉积方式，具有成膜致密、成膜速率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜封装方法，其特征在于：包括以下步骤：第（1）步，采用原子层沉积方法在衬底上沉积第一无机阻隔层；第（2）步，采用物理气相沉积方法在第（1）步制备的第一无机阻隔层上沉积第二无机阻隔层；第（3）步，采用原子层沉积方法在第（2）步制备的第二无机阻隔层上沉积第三无机阻隔层；第（4）步，采用溶液法、parylene化学气相沉积方法或分子层沉积方法在第（3）步制备的第三无机阻隔层上制备有机阻隔层，形成周期性结构阻隔层；第（5）步，重复第（2）~（4）步骤，形成具有多个周期的薄膜封装结构。
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