[发明专利]半导体装置和检测器件发热的方法有效
| 申请号： | 201710331663.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN108871608B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置和检测器件发热的方法，涉及半导体技术领域。其中，装置包括：在衬底上的半导体鳍片；在所述衬底上的第一MOS器件，包括：在所述半导体鳍片上的第一栅极结构；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述半导体鳍片中的第一源极和第一漏极；在所述衬底上的第二MOS器件，包括：在所述半导体鳍片上的第二栅极结构；以及在所述第二栅极结构两侧至少部分地位于所述半导体鳍片中的第二源极和第二漏极；以及在所述半导体鳍片上位于所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间的第一伪栅结构；其中，在所述第一伪栅结构被施加第一电位、所述衬底被施加第二电位的情况下，能够将所述第一MOS器件与所述第二MOS器件电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 检测 器件 发热 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：在衬底上的半导体鳍片；在所述衬底上的第一MOS器件，包括：在所述半导体鳍片上的第一栅极结构；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述半导体鳍片中的第一源极和第一漏极；在所述衬底上的第二MOS器件，包括：在所述半导体鳍片上的第二栅极结构；以及在所述第二栅极结构两侧至少部分地位于所述半导体鳍片中的第二源极和第二漏极；以及在所述半导体鳍片上位于所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间的第一伪栅结构；其中，在所述第一伪栅结构被施加第一电位、所述衬底被施加第二电位的情况下，能够将所述第一MOS器件与所述第二MOS器件电隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710331663.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
