[发明专利]掩膜版及其组件、曝光机和检测测试窗口遮挡效果的方法有效
申请号: | 201710326143.5 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN106933025B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 崔家宾;王丽;李志宾;梁鹏飞;刘畅;陈鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎;李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掩膜版,包括对位标记测试窗口和间距测量测试窗口,所述掩膜版上还设置有第一检测标记和/或第二检测标记;所述第一检测标记,与所述对位标记测试窗口和/或间距测量测试窗口的靠近掩膜版内部的边框齐平;所述第二检测标记,设置在所述掩膜版的透光区整体轮廓与所述对位标记测试窗口之间,和/或,设置在所述掩膜版的透光区整体轮廓间距测量测试窗口之间。本发明还公开了一种掩膜版组件、曝光机和采用所述掩膜版检测测试窗口遮挡效果的方法。本发明提出的掩膜版及其组件、曝光机和检测测试窗口遮挡效果的方法,能够用于监控测试窗口的遮挡不良问题。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 及其 组件 曝光 检测 测试 窗口 遮挡 效果 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜版,包括对位标记测试窗口和间距测量测试窗口,其特征在于,所述掩膜版上还设置有第一检测标记和/或第二检测标记;所述第一检测标记,与所述对位标记测试窗口和/或间距测量测试窗口的靠近掩膜版内部的边框齐平;所述第二检测标记,设置在所述掩膜版的透光区整体轮廓与所述对位标记测试窗口之间,和/或,设置在所述掩膜版的透光区整体轮廓与所述间距测量测试窗口之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710326143.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光器件
- 下一篇:一种集光式热管结构太阳能热水器
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备