[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710324502.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107527954B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成;渡壁创;花田明纮;盐川真里奈 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：氧化物半导体层；上述氧化物半导体层的上方的栅极电极；上述氧化物半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于上述氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于上述第1绝缘层上，包含铝层，经由上述第1开口部电连接于上述氧化物半导体层；阻挡层，将上述第1绝缘层上、上述布线上及上述布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及上述阻挡层上的有机绝缘层。
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