[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201710317084.5 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107359202B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;中泽安孝;保坂泰靖;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨;胡嘉倩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个方式包括：栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜是In氧化物或In‑Zn氧化物，第二氧化物半导体膜是In‑M‑Zn氧化物(M为Al、Ga或Y)，并且，第二氧化物半导体膜包括In原子的数量为In、M和Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及M原子的数量为In、M和Zn原子的总数的5％以上且30％以下的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的绝缘膜；所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的一对电极，其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜是In氧化物或In‑Zn氧化物，所述第二氧化物半导体膜是In‑M‑Zn氧化物，M为Al、Ga或Y，并且，所述第二氧化物半导体膜包括所述In原子的数量为所述In原子、所述M原子和所述Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及所述M原子的数量为所述In原子、所述M原子和所述Zn原子的总数的5％以上且30％以下的区域。
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