[发明专利]一种两路双向TVS二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710315387.3 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN107256883B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐远 | 申请（专利权）人： | 苏州矽航半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 44463 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 易朝晖<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种两路双向TVS二极管及其制作方法。包括：背电极、N+衬底、P‑外延层、位于P‑外延层中并列设置的两个P阱、位于P阱两侧的N型隔离区、位于每个P阱中的P型掺杂区、位于每个P型掺杂区中的N型掺杂区、位于P‑外延层表面的氧化层、氧化层中对应每个N型掺杂区的位置设有接触孔、两个正面电极通过各自的接触孔与对应的N型掺杂区电连接、位于正面电极以及氧化层上方的钝化层。两个TVS二极管分别由N型掺杂区域、P型掺杂区域，P阱及N+衬底构成，特有的NPN的结构，使TVS二极管具备了双向对称的功能。两个TVS之间由N型隔离区分开，且在器件的边缘也有N型隔离，这使得器件中两个二极管之前的漏电以及器件边缘的漏电降到最低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 tvs 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种两路双向TVS二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）提供N+衬底；/n（2）在所述N+衬底的正反两面分别依次生长二氧化硅层和氮化硅层；/n（3）去除所述N+衬底的正面的二氧化硅层和氮化硅层，保留所述N+衬底背面的二氧化硅层和氮化硅层作为背封层；/n（4）在N+衬底的正面生长一P-外延层，然后湿法刻蚀去除所述N+衬底背面的二氧化硅层和氮化硅层；/n（5）利用掩膜在所述P-外延层中进行硼掺杂形成并列设置的两个P阱；所述步骤（5）的具体工艺为：生长700纳米的氧化层，然后涂胶、光刻、显影、腐蚀，在适当的区域开口，在开口内离子注入硼元素，注入剂量为4E14/cm2，注入能量为70KeV；/n（6）在所述P-外延层两侧边缘以及所述两个P阱之间通过磷掺杂形成N型隔离区；/n（7）在每个P阱中通过离子注入硼形成P型掺杂区；/n（8）在每个P型掺杂区中通过离子注入磷形成N型掺杂区，N型掺杂区的结深小于P型掺杂区，由此获得由N型掺杂区域、P型掺杂区域，P阱以及N+衬底构成的NPN的结构；其中，P阱深入到N+衬底内部；/n（9）在所述P-外延层上形成氧化层，在氧化层中对应每个N型掺杂区的位置形成接触孔，在每个接触孔内以及氧化层表面沉积形成正面电极；/n（10）在正面电极表面形成钝化层，在钝化层中形成作为后端封装打线的孔；/n（11）减薄所述N+衬底，然后在所述N+衬底的背面制备背面电极，以完成两路双向TVS二极管的制作。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矽航半导体有限公司，未经苏州矽航半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710315387.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光显示面板及其制作方法
- 下一篇：一种碳化硅功率二极管器件及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
