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- [实用新型]一种优化接触孔的器件-CN202123112011.3有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2021-12-13
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2022-06-28
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H01L23/48
- 本实用新型公开了一种优化接触孔的器件，包括：芯片衬底，芯片的正面生长的介质层，芯片衬底表面形成的芯片有源区，以及芯片有源区表面形成的若干接触孔；芯片有源区位于芯片衬底的中心位置，芯片有源区的截面为长方形；接触孔的数量不少于1，且接触孔以芯片有源区对称布置；相邻接触孔的侧壁形成有介质层，介质层用于隔离金属层和芯片有源区；接触孔串联金属层和芯片有源区，电流通过接触孔正下方的芯片有源区流至器件的内部；在接触孔开孔精度可实施的范围内，在芯片有源区尽可能地均匀地，开多个接触孔，并均匀分布接触孔的位置，可以使得电流分布更加均匀，并最大程度地利用芯片的有效面积，使得器件的性能得以最大程度的发挥。
- 一种优化接触器件
- [实用新型]一种利用深槽隔离降低电容的TVS二极管-CN202123014665.2有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2021-12-03
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2022-04-15
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H01L29/861
- 本实用新型公开了一种利用深槽隔离降低电容的TVS二极管，包括：P型衬底，在P型衬底表面形成的N型区域，以及设置在P型衬底中的若干深槽；N型区域和P型衬底形成有立体的PN结；N型区域与P型衬底接触的接触面分别为A面、B面和C面；深槽被绝缘材料填充，深槽设置在B面和C面之间。通过收缩器件两侧的深槽间距将PN结的侧壁B面和C面隔离在深槽的两侧，此结构中PN结的电容仅为A面的电容，B面和C面接触的面的电容因为被深槽隔离，并不会对主器件造成影响，实现在缩小TVS二极管的电容的同时尽可能地保留原有的TVS二极管过流性能。优化过的器件结构通过减小TVS二极管中N型区域的侧壁的面积，可以有效减小PN结侧壁电容，从而起到降低器件整体电容的作用。
- 一种利用隔离降低电容tvs二极管
- [实用新型]一种基于优化刻槽技术的器件-CN201922465523.4有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2019-12-31
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2020-06-23
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H01L21/304
- 本实用新型公开了一种基于优化刻槽技术的器件，器件的材料为硅，器件上设有深槽，深槽的内腔侧壁已经BOE溶液清洗，深槽内沉积二氧化硅；未经BOE溶液清洗的内腔侧壁的粗糙程度大于清洗后的内腔侧壁的粗糙程度，未经BOE溶液清洗的内腔侧壁上生长有氧化层，BOE溶液将氧化层漂去；未生长氧化层的器件已被刻槽，器件上的深槽经等离子体干法刻蚀而成型，器件在刻蚀深槽前表面还设有硬掩模，在刻蚀的过程中器件与硬掩模均被消耗；在硬掩模被刻蚀前，硬掩模上的光刻胶全部被除去，硬掩模在光刻胶全部被除去前已经被刻蚀消耗掉部分。本实用新型所提及的器件的可以将深槽刻蚀引入的漏电控制在较低的水平。
- 一种基于优化技术器件
- [实用新型]一种TVS器件-CN201922456879.1有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2019-12-31
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2020-06-23
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H01L29/06
- 本实用新型公开了一种TVS器件，器件由外向内分别设置有未掺杂玻璃层、磷酸玻璃层、铝层、二氧化硅层以及硅衬底；二氧化硅层上设有窗口，窗口的两端开口沿器件的深度方向设置，窗口贯穿二氧化硅层，二氧化硅层上不与硅衬底相接触的外表面上覆盖有氮化硅层，氮化硅层与铝层相接触；铝层填充窗口，且铝层经窗口与硅衬底相接触，相接触的铝层和硅衬底形成了器件的接触孔。本实用新型通过增强保护环的质量并降低TVS的漏电流来提高TVS器件的HTRB能力。
- 一种tvs器件
- [发明专利]一种两路双向TVS二极管及其制作方法-CN201710315387.3有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2017-05-08
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2019-12-03
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H01L29/06
- 本发明公开了一种两路双向TVS二极管及其制作方法。包括：背电极、N+衬底、P‑外延层、位于P‑外延层中并列设置的两个P阱、位于P阱两侧的N型隔离区、位于每个P阱中的P型掺杂区、位于每个P型掺杂区中的N型掺杂区、位于P‑外延层表面的氧化层、氧化层中对应每个N型掺杂区的位置设有接触孔、两个正面电极通过各自的接触孔与对应的N型掺杂区电连接、位于正面电极以及氧化层上方的钝化层。两个TVS二极管分别由N型掺杂区域、P型掺杂区域，P阱及N+衬底构成，特有的NPN的结构，使TVS二极管具备了双向对称的功能。两个TVS之间由N型隔离区分开，且在器件的边缘也有N型隔离，这使得器件中两个二极管之前的漏电以及器件边缘的漏电降到最低。
- 一种双向tvs二极管及其制作方法
- [实用新型]一种DFN22‑3L型引线框架-CN201720923290.6有效
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徐远
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苏州矽航半导体有限公司
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2017-07-27
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2018-01-23
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H01L23/495
- 本实用新型公开了一种DFN22‑3L型引线框架，包括框架本体，所述框架本体上设有一个第一引脚焊盘和两个第二引脚焊盘，其中第一引脚焊盘的尺寸为1.5mm*1.0mm，第二引脚焊盘的尺寸为0.3mm*0.4mm，其特征在于，两个所述第二引脚焊盘位于所述框架本体底部，两个所述第二引脚焊盘之间通过内部芯片框架电通流在一起。在DFN2*2‑3L型的框架结构尺寸不变的情况下，将原有的独立存在的两个第二引脚焊盘的框架连在一起，使得器件在焊接和贴片的过程中更加的方便，容错率大大的降低。并且在使用过程中，由于两个第二引脚焊盘连一起，在浪涌的冲击下，能量的释放会更加的均匀和快速，不容易损坏芯片。
- 一种dfn22引线框架
- [实用新型]一种单向低电容TVS二极管-CN201720267499.1有效
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徐远;曹德祥
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苏州矽航半导体有限公司
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2017-03-20
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2017-12-12
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H01L29/861
- 本实用新型涉及一种单向低电容TVS二极管，包括P+衬底；第一N型外延层，形成于P+衬底上；第二N型外延层，形成于第一N型外延层上；第一N型埋层区、第二N型埋层区和P型埋层区，均形成于第一N型外延层中并延伸至P+衬底和第二N型外延层中，第二N型埋层区与第一N型埋层区相连接；N型掺杂区，形成于第二N型外延层中并与第一N型埋层区相连接；P型注入区，形成于第二N型外延层中并与P型埋层区相连接；P+注入区和N+注入区，均形成于第二N型外延层中；氧化层，形成于第二N型外延层上；金属层，形成于氧化层上；钝化层，形成于金属层上；背金层，形成于P+衬底背面。本实用新型的TVS二极管的电容为0.3pF，满足HDMI3.0的应用需求。
- 一种单向电容tvs二极管
- [实用新型]一种四路ESD防护的TVS二极管-CN201720267537.3有效
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徐远;曹德祥
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苏州矽航半导体有限公司
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2017-03-20
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2017-12-12
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H01L29/861
- 本实用新型涉及一种四路ESD防护的TVS二极管，包括P+衬底；第一N型外延层，形成于P+衬底上；P+埋层区，形成于第一N型外延层中；第二N型外延层，形成于第一N型外延层上；N+埋层区，形成于第二N型外延层中并延伸至第一N型外延层中；至少一个P+注入区，形成于第二N型外延层中；至少一个第一N+注入区，形成于第二N型外延层中；多个沟槽，每个沟槽均穿过第二N型外延层并延伸至第一N型外延层中；氧化层，形成于第二N型外延层上；金属层，形成于所述氧化层上；背金层，形成于所述P+衬底背面。本实用新型采用集成式结构，成本低，节省空间，通过一个TVS二极管保护了四个I/O端口，任意I/O端口到地的电容均小于0.3pF，满足当代高速接口的要求。
- 一种四路esd防护tvs二极管
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