[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710305188.4 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807534A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括器件区以及位于器件区两侧的隔离区，衬底上形成有分立的鳍部；在衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于鳍部顶部；形成隔离结构后，刻蚀隔离区的鳍部；刻蚀隔离区的鳍部后，形成横跨器件区鳍部的栅极结构，栅极结构还覆盖器件区鳍部的部分侧壁和顶部表面。本发明在形成隔离结构之后刻蚀隔离区的鳍部，相比先刻蚀隔离区鳍部再形成隔离结构的方案，本发明在形成隔离结构的过程中，器件区鳍部两侧的环境相同，可以避免出现负载效应，从而使露出于隔离结构的器件区鳍部的高度相同，进而有利于提高所形成半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 隔离结构 隔离区 器件区 刻蚀 半导体结构 衬底 栅极结构 电学性能 顶部表面 覆盖器件 负载效应 侧壁 分立 横跨 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区、以及位于所述器件区两侧的隔离区，所述衬底上形成有分立的鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部的顶部；形成所述隔离结构后，刻蚀所述隔离区的鳍部；刻蚀所述隔离区的鳍部后，形成横跨所述器件区鳍部的栅极结构，所述栅极结构还覆盖所述器件区鳍部的部分侧壁和顶部表面。
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