[发明专利]GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途在审
| 申请号： | 201710304740.8 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107204565A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 叶羽婷;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维层状半导体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是GeSe二维层状半导体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料，为开发新型饱和吸收体提供了新思路，其器件具有制备简单、适合大规模生产、体积小、可组成多种类型锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | gese 二维 层状 半导体 构成 饱和 吸收体 器件 用途 | ||
【主权项】：
一种GeSe二维层状半导体，其特征是：所述的GeSe二维层状半导体由多层的二维GeSe分子层构成。
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