[发明专利]GeSe二维层状半导体及构成的饱和吸收体器件和用途

权利要求书

1.一种GeSe二维层状半导体，其特征是：

所述的GeSe二维层状半导体由多层的二维GeSe分子层构成。

2.根据权利要求1所述的一种GeSe二维层状半导体，其特征是：

所述的GeSe二维层状半导体采用以下方式进行制备：

1)将GeSe块体加入有机溶液中，超声破碎1h，得到GeSe分散液；

2)将GeSe分散液进行离心处理，得到GeSe二维层状半导体。

3.根据权利要求2所述的一种GeSe二维层状半导体，其特征是：

所述的有机溶液采用乙醇、异丙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、十二烷基磺酸钠和胆酸钠溶液。

4.权利要求1-3任一所述的一种GeSe二维层状半导体的用途，其特征是：

所述GeSe二维层状半导体用于制备饱和吸收体器件的用途。

5.一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件，其特征在于：

包括封装在透明基体内作为饱和吸收体的二维半导体和承载该饱和吸收体的基体，所述二维半导体是权利要求1-3任一所述GeSe二维层状半导体。

6.根据权利要求5所述的一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件，其特征在于：所述的基体为有机聚合物。

7.根据权利要求6所述的一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件，其特征在于：所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。

8.根据权利要求5-7任一所述的一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件，其特征在于：所述的饱和吸收体器件采用以下方式进行制备：将基体分散在去离子水中，搅拌均匀分散，获得基体水溶液；将GeSe二维层状半导体的溶液与基体水溶液混合均匀，倒入表面光滑平整的表面皿中，并水平放于干燥箱中干燥得到平整干燥的PVA薄膜，取PVA薄膜中厚度均匀的部分作为饱和吸收体器件。

9.根据权利要求5所述的一种基于GeSe二维层状半导体的饱和吸收体器件的用途，其特征在于：所述饱和吸收体器件应用于脉冲激光器等领域。