[发明专利]LED可持续等光强照明集成控制电路

摘要

LED可持续等光强照明集成控制电路，由LED光强探测电路(1)、电流电压转换电路(2)、电位平移缓冲电路(3)、电压比较放大电路(4)、低通滤波电路(5)所组成。本发明通过负反馈可以有效稳定控制流过LED的电流，实现LED灯的等光强度照明，本发明采用CMOS工艺将控制电路与掩埋双PN结光电二极管光电流传感单元单片集成，实现LED光强度控制微型化、智能化。

主权项

LED可持续等光强照明集成控制电路，由LED光强探测电路(1)、电流电压转换电路(2)、电位平移缓冲电路(3)、电压比较放大电路(4)、低通滤波电路(5)所组成；所述LED光强探测电路(1)中，输出端与电流电压转换电路(2)的输入端连接；LED光强探测电路(1)由浅PN结光电二极管D1和深PN结光电二极管D2组成；所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2是PNP的堆叠结构，所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2阳极共用N结，并作为输出端输出两个PN结的光电流之和I₁+I₂，所述浅PN结光电二极管D1和所述深PN结光电二极管D2阴极都接地；所述电流电压转换电路(2)中，输入端与LED光强探测电路(1)的输出端相连，输出端与电位平移缓冲电路(3)的输入端连接；电流电压转换电路(2)由PMOS管P1、P2、P3、P4和NMOS管N1组成；所述PMOS管P1源极接电源VDD，栅漏短接，漏极连所述PMOS管P3源极，所述PMOS管P3栅漏短接，漏极作为该电流电压转换电路(2)的输入端，所述PMOS管P2源极接电源VDD，栅极接所述PMOS管P1栅极，漏极连所述PMOS管P4源极，所述PMOS管P4栅极接所述PMOS管P3栅极，漏极连所述NMOS管N1漏极，所述NMOS管N1栅极接电源VDD，源极接地，漏极为该电流电压转换电路(2)的输出端；所述电位平移缓冲电路(3)中，输入端接电流电压转换电路(2)的输出端，第一、二输出端分别与电压比较放大电路(4)的第一、二输入端相连；电位平移缓冲电路(3)由PMOS管P5、P6、P7和NMOS管N2、N3组成；所述PMOS管P5源极接电源VDD，栅极接所述PMOS管P6栅极，漏极接所述PMOS管P7源极，所述PMOS管P7漏极接地，源极和栅极分别作为该电位平移缓冲电路(3)的第一输出端和输入端，所述PMOS管P6源极接电源VDD，栅漏短接，漏极连所述NMOS管N2漏极，所述NMOS管N2栅漏短接，源极接所述NMOS管N3漏极，所述NMOS管N3栅漏短接，源极接地，栅极作为该电位平移缓冲电路(3)的第二输出端；所述电压比较放大电路(4)中，第一、二输入端分别连电位平移缓冲电路(3)的第一、二输出端，输出端连低通滤波电路(5)输入端；电压比较放大电路(4)由PMOS管P8、P9和NMOS管N4、N5、N6以及电阻R1、R2组成；所述PMOS管P8源极接电源VDD，栅极连所述PMOS管P9栅极，漏极连所述NMOS管N4漏极，所述NMOS管N4源极接所述NMOS管N6漏极，栅极和源极分别作为该电压比较放大电路(4)的第一输入端和输出端，所述NMOS管N6源极接地，栅极作为该电压比较放大电路(4)的第二输入端，所述PMOS管P9源极接电源VDD，栅漏短接，漏极接所述NMOS管N5漏极，所述NMOS管N5源极接所述NMOS管N6漏极，所述电阻R1一端接电源VDD，另一端接所述NMOS管N5栅极，所述电阻R2一端接地，另一端也连所述NMOS管N5栅极；所述低通滤波电路(5)中，输入端连电压比较放大电路(4)的输出端，控制信号从输出端Vout输出，该输出端可以接LED的驱动元件；低通滤波电路(5)由电阻R3和电容C1组成；所述电阻R3一端作为该低通滤波电路(5)的输入端，另一端作为输出端Vout，所述电容C1一端接地，另一端连该低通滤波电路(5)的输出端。