[发明专利]一种多光谱发光二极管结构在审

专利信息
申请号: 201710284866.3 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN107170866A 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 刘军林;江风益;莫春兰;张建立;王小兰;吴小明;高江东 申请(专利权)人: 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/04;H01L33/30;H01L33/26
代理公司: 江西省专利事务所36100 代理人: 张文
地址: 330047 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种多光谱发光二极管结构,包含衬底和半导体叠层,该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层;特征是所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成,可以同时出射两种或三种波长的光,任意两种波长的光之间的波长差为λ,其中100nm≥λ≥10nm;所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构,周期数为k;所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定,发光波长范围为380nm─700nm。本发明能在单芯片内直接出射多光谱,可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降,对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。
搜索关键词: 一种 光谱 发光二极管 结构
【主权项】:
一种多光谱发光二极管结构,包含:衬底;层叠于所述衬底上的半导体叠层,该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和一层夹于n型半导体层、p型半导体层之间的多光谱发光多量子阱层;其特征在于:所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成,两组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射两种波长的光,三组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射三种波长的光,任意两种波长的光之间的波长差为λ,其中:100nm≥λ≥10nm;所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构,周期数为k,其中:10≥k≥1;所述多量子阱发光单元的发光波长由多量子阱发光单元的量子阱禁带宽度决定,发光波长范围为380nm─700nm。
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