[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201710266728.2 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039353B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 宫奎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法。所述方法包括：在衬底基板上形成非晶硅层，其中，衬底基板包括像素区和外围驱动区；在外围驱动区的非晶硅层上形成减反射薄膜；对非晶硅层进行结晶处理形成多晶硅层，外围驱动区内多晶硅层的晶粒尺寸大于像素区内多晶硅层的晶粒尺寸；去除减反射薄膜；对多晶硅层进行图案化处理，对应形成位于像素区的第一多晶硅有源层和位于外围驱动区的第二多晶硅有源层；在第一多晶硅有源层和第二多晶硅有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极，得到阵列基板。本发明基于减反射薄膜的设置，增大了多晶硅薄膜晶体管的外围驱动区内的多晶硅层的晶粒尺寸，提高了阵列基板的驱动效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成非晶硅层，其中，所述衬底基板包括像素区和外围驱动区；在所述外围驱动区的所述非晶硅层上形成减反射薄膜；对所述非晶硅层进行结晶处理形成多晶硅层，所述外围驱动区内多晶硅层的晶粒尺寸大于所述像素区内多晶硅层的晶粒尺寸；去除所述减反射薄膜；对所述多晶硅层进行图案化处理，对应形成位于所述像素区的第一多晶硅有源层和位于所述外围驱动区的第二多晶硅有源层；在所述第一多晶硅有源层和所述第二多晶硅有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极，得到所述阵列基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
