[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成非晶硅层，其中，所述衬底基板包括像素区和外围驱动区；

在所述外围驱动区的所述非晶硅层上形成减反射薄膜；

对所述非晶硅层进行结晶处理形成多晶硅层，所述外围驱动区内多晶硅层的晶粒尺寸大于所述像素区内多晶硅层的晶粒尺寸；

去除所述减反射薄膜；

对所述多晶硅层进行图案化处理，对应形成位于所述像素区的第一多晶硅有源层和位于所述外围驱动区的第二多晶硅有源层；

在所述第一多晶硅有源层和所述第二多晶硅有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极，得到所述阵列基板；

其中，所述非晶硅层表面反射到所述减反射薄膜表面的反射光线与所述减反射薄膜表面反射的反射光线的相位相差180°；

其中，所述对所述非晶硅层进行结晶处理形成多晶硅层包括：

使用准分子激光退火方法或固相结晶方法对所述非晶硅层进行结晶处理；

所述减反射薄膜的厚度为所述激光的波长与所述减反射薄膜折射率的比值的四分之一；

其中，所述减反射薄膜的折射率是所述非晶硅层的折射率与位于所述减反射薄膜上方气相介质的折射率的几何平均值；

其中，所述在所述外围驱动区的所述非晶硅层上形成减反射薄膜的步骤，包括：在非晶硅层的背离衬底基板的面上形成减反射薄膜，去除像素区内的减反射薄膜，得到形成于外围驱动区内的减反射薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减反射薄膜的厚度与所述激光的波长成正比，与所述减反射薄膜的折射率成反比。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减反射薄膜的折射率是位于所述减反射薄膜下方的非晶硅层的折射率与形成所述减反射薄膜时位于所述减反射薄膜上方的气相介质的折射率的几何平均值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减反射薄膜的材质为下列之一：

三氧化二铝、二氧化硅、二氟化镁或四氮化三硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一多晶硅层有源层和所述第二多晶硅层有源层上依次形成第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极，得到所述阵列基板包括：

形成第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述第一多晶硅层有源层和所述第二多晶硅层有源层；

在所述第一绝缘层上图案化形成位于所述像素区内的第一栅极和位于所述外围驱动区域内的第二栅极；

形成第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；

在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上制作源极过孔和漏极过孔，在所述源极过孔和所述漏极过孔内，形成所述像素区内的第一源极和第一漏极以及所述外围驱动区域内的第二源极和第二漏极。

6.一种根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板的制备方法制备的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括形成于衬底基板上的位于像素区内的像素多晶硅薄膜晶体管和位于外围驱动区内的驱动多晶硅薄膜晶体管；

所述像素多晶硅薄膜晶体管内的第一多晶硅有源层的晶粒尺寸小于所述驱动多晶硅薄膜晶体管内的第二多晶硅有源层的晶粒尺寸。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素多晶硅薄膜晶体管还包括在所述衬底基板上的像素区内层叠设置的第一多晶硅有源层、第一绝缘层、第一栅极和第二绝缘层，以及形成在源极过孔内的第一源极和形成在漏极过孔内的第一漏极，所述像素区内的所述源极过孔和所述漏极过孔均贯通所述像素区内的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动多晶硅薄膜晶体管还包括在所述衬底基板上的外围驱动区内层叠设置的第二多晶硅有源层、第一绝缘层、第二栅极和第二绝缘层，以及形成在源极过孔内的第二源极和形成在漏极过孔内的第二漏极，所述外围驱动区内的所述源极过孔和所述漏极过孔均贯通所述外围驱动区内的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。