[发明专利]阻变存储器的存储状态的调控方法有效
| 申请号： | 201710264856.3 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107134525B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种阻变存储器的存储状态的调控方法。阻变存储器包括两个电极层与两个电极层之间的绝缘层，两个电极层分别是第一电极层与第二电极层，至少一个电极层为铁磁电极层，存储状态的调控方法包括：步骤S1，向两个电极层之间施加第一电压，使得至少一个铁磁电极层的电势高于另一个电极层的电势，使得绝缘层中形成磁通道；步骤S2，向两个电极层之间施加第二电压，使得一个铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。该调控方法不涉及到导电细丝的断裂过程，缓解了电阻转变的波动性，使得RRAM形成的RRAM阵列得到更广泛地应用，该调控方法操作简单，能降低存储器外围电路设计成本低，有利于其大规模集成和实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存储 状态 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的存储状态的调控方法，其特征在于，所述阻变存储器包括两个电极层与所述两个电极层之间的绝缘层(2)，两个所述电极层分别是第一电极层(1)与第二电极层(3)，其中，至少一个所述电极层为铁磁电极层，所述存储状态的调控方法包括：步骤S1，向两个所述电极层之间施加第一电压，使得至少一个所述铁磁电极层的电势高于另一个所述电极层的电势；以及步骤S2，向两个所述电极层之间施加第二电压，使得一个所述铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。
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